|
| Geleceğin bellek çipleri |
 Güney
Koreli elektronik devi Samsung 60 nanometre üretim teknolojisi ile
geliştirilen ilk 8 gigabit'lik flaş bellek ve 80 nm ile üretilen
2 gigabit'lik DDR DRAM çipini tanıttı. Halen prototip aşamasında
olan her iki bellek çipi de devreleri küçültürken, depolama kapasitesini
çok daha yukarıya çekiyor. Cep telefonu, flaş hafıza kartları ve
MP3 player gibi cihazlarda kullanılan flaş bellekler cihaz kapandrığı
zaman verilerin kaybolmadan saklanmasını sağlarken, DDR DRAM bellekleri
bilgisayarlarda kullanılıyor.
Tek Kartta 16 Saatlik DVD
CNet'in haberine göre, kendi alanlarındaki diğer ürünlere göre boyutları
daha küçük olan yeni çipler daha ucuza daha fazla veri depolama
imkanı sunacak. Yeni flash çipi tek bir hafıza kartında 16 gigabyte
veri depolanmasına izin verecek. :Bu 16 saatlik DVD kalitesinde
video ya da 4 bin MP3 şarkısına (ortalama 5 dakikalık) denk geliyor.
Mevcut flaş kartların maksimum kapasitesi 4 GB.
Yeni çipler halen prototip aşamasında olduğu için tüketiciler daha
fazla kapasiteye kavuşmak için biraz daha beklemek zorunda. Üreticiler
90 nm teknolojisi ile ilk çiplerini bu sene yapmaya başladı. 80
nm'lik çiplerin piyasaya çıkması için en az bir yıl daha geçmesi
gerektiği belirtiliyor. 65 nm'lik çiplerin ise 2005 sonundan önce
tüketicilere ulaşması beklenmiyor.
Intel - Samsung Yarışı
Flaş ve DRAM bellek pazarının lideri Samsung'un yeni çipleri, Güney
Koreli üreticinin tıpkı yarı iletken devi Intel gibi pazara hakim
olmak için yeni üretim teknolojilerini zorlayacağını gösteriyor.
Çip pazarının genelinde ikinci sırada olan Samsung ile birinci sıradaki
Intel arasında özellikle flash bellek pazarında sıkı bir rekabetin
yaşanması bekleniyor. Samsung'un avuç içi cihazlar için daha fazla
işlemci üretme hedefi de iki dev arasındaki rekabeti daha da kızıştıracak. |
 |
 |
|
|
Siteyi
Tavsiye Et
Giriş Sayfası Yap 
